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인텔: 새로운 GAA(Gate-All-Around) 트랜지스터 기술로 전환

10nm 생산 문제 이후 Intel은 프로세서 시장에서 경쟁력을 유지할 수 있는 다른 방법을 찾고 있습니다.


ΣVLSI 컨퍼런스 2020 ο 최고 기술 책임자 (CTO) Intel Mike Mayberry의 는 향후 몇 년 동안 회사가 우려할 주요 문제인 "컴퓨팅의 미래"를 언급했습니다.

우리는 인텔의 고전적인 디자인에서 인텔의 전환에 대해 실질적으로 이야기하고 있습니다. 트랜지스터(FinFET), 여기서 우리는 이들의 XNUMX차원 정렬을 완전히 새로운 방식으로 처리하여 혁신적인 신제품을 만듭니다.

컨퍼런스 말미에 나온 질문 중 하나는 기술의 미래에 대한 것이었고, 메이 베리 그는 나노와이어형 트랜지스터가 XNUMX년 안에 생산에 들어갈 것으로 기대하고 있지만 구체적인 출시 날짜를 제시할 수는 없다고 말했습니다.

인텔은 삼성 등 이 분야의 주요 기업들과 함께 혁신적이고 새로운 제조 방식으로 나아갈 것입니다. 그러나 그 전에 그는 2021년에 그들의 진입을 볼 것이라고 확인했습니다. 10nm + 뿐만 아니라 새로운 노드, 7nm 에 나타나다 제품 시트 연내 출시를 목표로 하고 있습니다.

다른 트랜지스터 회사와 마찬가지로 인텔을 차지할 것은 디자인입니다. 게이트 만능(GAA) 이것은 작은 크기인 '거의' 부동 트랜지스터 핀을 포함합니다.

이것은 더 큰 확장성과 같은 다른 긍정적인 요소와 함께 제공할 수 있습니다. FinFET GAA 트랜지스터는 가까운 장래에 다른 회사들이 의존하게 될 Intel의 다음 큰 단계가 될 것입니다.

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